浸鍍錫工藝

本發明涉及一種改良的浸鍍錫工藝，其是在浸鍍錫之前增加一預鍍步驟，以較溫和的速率在一待 鍍表面上沉積一均勻的錫薄層，再進入主槽中浸鍍錫。由于所述預鍍的沉積速率較慢，所以沉積在所述表面上的錫的晶粒較小，而且該錫薄層堆積致密且平整，因此，經預鍍后的表面再經浸鍍錫時，不僅可在浸鍍錫沉積后的表面獲得一均勻的錫金屬表面而且對于添加于錫浸鍍液的界面活性劑或錫面整平劑等有機添加劑可因而減量，甚至到不需添加。

1、一種浸鍍錫工藝，在待鍍物上形成錫金屬層，該工藝包括下列步驟：

對待鍍物的待鍍表面施予前段表面處理程序;對所述待鍍表面施予狀態調節程序，該狀態調節程序包括一次或一次以上預鍍，使在該待鍍表面上預先形成均勻的錫薄層，所述一次或一次以 上預鍍包括至少一次使用含有錫的溶液，該預鍍使用的溶液包括曱基橫酸 錫0. l-120g/L、硫尿10-120g/L、曱基磺酸40-200ml/L、以及抗氧化劑 0. 5-100g/L;以及 10 浸鍍錫程序;

其中，所述預鍍的操作溫度不高于所述浸鍍錫程序的操作溫度，且所使用溶液的錫濃度不高于浸鍍錫程序使用溶液的錫濃度，所述均勻的錫薄 層是以低于所述浸易程序中沉積錫的速率沉積而形成。

括下列步驟：對所述待鍍表面施予脫脂;水洗所述待鍍表面;微蝕所述待鍍表面;以及 水洗所述待鍍表面。

背景技術

浸鍍錫被廣泛地用來在物品的表面上形成踢金屬層，例如被應用在印 10 刷電路板(PCB)或連接器的表面鍍錫，以及其它電子或非電子的產品。 傳統的浸鍍錫技術發展幾乎都專注在藥液或配方的改良上，但往往會帶來污染或其它副作用。

在傳統的浸彼踢工藝中，通常在錫浸後液內添加有機物作為錫面整平劑或界面活性劑以抑制錫金屬成長速率，進而獲得平整的錫面，若不添加有機添加劑，則因為鎮的沉積速率過于激烈，將使得沉積的踢層的晶粒較 大而且堆積松散不平整，因而錫面較灰暗且具有水紋(即，浸鍍不均勻的 現象)出現，而且，有機添加劑會殘留在PCB上造成組件焊錫性變差及產 生錫須(whisker)，再者，有機添加劑在浸鍍過程中逐漸消耗，所以難以控制其濃度，使得浸鍍液的管理更力口困難。

因此，目前急需發展出一種可改善浸鍍錫時所產生的錫金屬層分布不均勻現象及減少有機添加劑的用量的浸鍍錫工藝。

發明內容

本發明的主要目的在于提出一種減少或不需添加整平劑或界面活性劑等有機添加劑即可消除在浸鍍時所產生的錫金屬層分布不均勻現象的浸鍍 4易工藝。

與現有技術相比，其關鍵技術在于在所述浸鍍踢程序之前，先在待鍍表面上以較溫和的速率預鍛一均勻的傷薄層。具體地說，本發明所提供的以在待鍍物上形成錫金屬層的浸鍍錫工藝，包括下列步驟：對待鍍物的待鍍表面施予前段表面處理程序;對所述待鍍表面施予狀態調節程序，該狀態調節程序包括一次或一次以上預鍍。

其中，所述預鍍的操作溫度不大于所述浸鍍踢程序的操作溫度，且所 使用溶液的錫濃度不高于浸鍍錫程序使用溶液的錫濃度，所迷均勻的錫薄 層是以低于所述浸後踢程序中沉積錫的速率沉積而形成。

熟悉本領域的技術人員可以輕易了解，浸鍍踢的配方或工藝有許多選擇及變化，而本發明的主要特點是在進行浸鍍鎊之前，先行預鍍一均勻的 錫薄層，使得后續的浸鍍錫得到良好的品質，因此，雖然上述實施例被設計為容易了解的方式以提供例示，然而，不論采用相同或其它的浸鍍錫工 藝及配方，只要在進行浸鍍錫之前，先行預鍍一均勻的錫薄層，仍未脫離 本發明的精神。

以上對于本發明的優選實施例所作的敘述僅為闡明的目的，而無意限定本發明精確地為所揭露的形式，基于以上的教導或從本發明的實施例學 習而作修改或變化是可能的，實施例是為解說本發明的原理以及讓熟悉本領域的技術人員以各種實施例利用本發明在實際應用上而選擇及敘述，本 發明的保護范圍以權利要求書為準。